商品説明
レーザー溶接および共振型コンバータ向けに最適化された高密度絶縁
🛠️ 1. 製品概要
これは、最先端の技術を用いて設計された次世代の10 kW高周波絶縁トランスです。 平面トランス技術. 環境内でシームレスに動作し、 80 kHz~100 kHzの周波数範囲, このシリーズは、以下のような高出力かつスペースに制約のあるシステム向けに特別に最適化されています。 産業用レーザー溶接装置, 、デュアル・アクティブ・ブリッジ(DAB)ネットワーク、およびLLC共振コンバータ.
従来の巻線ボビンを積層銅基板や平らな銅リボンに置き換えることで、この平面トランスは 超コンパクトで薄型のデザイン 卓越した出力対体積比を実現しています。定格入力700 VDC、高精度な1:1.07の変圧比を備え、堅牢かつ再現性の高い高電圧絶縁を提供すると同時に、筐体の重量と設置スペースを大幅に削減します.
🎯 2. 主な機能
超コンパクトな平面設計: 薄型でフラットな積層構造を採用しており、優れた電力密度を実現するため、従来のトランスでは設置できない、スリムでモジュール式の産業用筐体に最適です。.
レーザー溶接システム向けに最適化: 高精度ファイバーレーザーやNd:YAGレーザー溶接装置に特有の、過酷で反復的な動的パルス負荷に耐え、熱劣化を起こさないよう設計されています。.
統合共振校正: 厳密に制御されたリークインダクタンスを備えています(L_leak < 67uH). これにより、平面構造がソフトスイッチング回路構成における共振インダクタを兼ねることができ、貴重な基板スペースを節約できます.
優れた熱性能: この平らな長方形の形状により、従来のトランスに比べて体積当たりの表面積が大幅に大きくなり、優れた放熱性を実現するとともに、ホットスポットの温度を低減します。.
高電圧対応とZVSの最適化: 最大入力電圧は 750 V. 磁化インダクタンス(L_m 580uH)は、シームレスなゼロ電圧スイッチング(ZVS)を実現するよう精密に調整されており、システム全体の効率を最大99.1%まで高めます。.
比類なき寄生一貫性: 平面巻線は化学エッチングまたはプレス加工によって形成されるため、製造公差はほぼゼロです。すべてのユニットで漏れインダクタンスと寄生容量が同一となるため、組立ラインにおける電源の調整に関する問題を解消できます。.
⚡ 3. 代表的な用途
レーザー溶接・切断装置: レーザー光源用高出力・小型組み込み型電源モジュール。.
電気自動車(EV)用直流急速充電器: 高出力EV充電ブロック用のコンパクトな絶縁ステージ。.
エネルギー貯蔵システム(ESS): 産業用バッテリーバンク向けの省スペース型双方向DC-DC変換システム。.
再生可能エネルギー用インバータ: 太陽光発電の系統連系ネットワーク向け高密度絶縁型DCバスインターフェース.
📊 4. 技術仕様
ピーク時の熱的および電気的ストレス限界条件下における厳格なマトリックス検証に基づき導き出された:
| パラメータの説明 | 設計上の価値/仕様 | 単位/運用上の注意事項 |
| 変圧器の種類 | 平面型/薄型 | 積層型高密度アーキテクチャ |
| 定格出力 | 10 | kW (連続定格負荷) |
| スイッチング周波数範囲 | 80~100 | kHz (SiC/IGBTトポロジーに最適) |
| 定格入力電圧 | 700 | V
|
| 最大入力電圧範囲 | 750 | V (高電圧の安全余裕) |
| 公称入力動作範囲 | 680~720 | V
|
| 公称出力電圧範囲 | 725 – 775 | V
|
| 変圧比(一次:二次) | 1 : 1.07 | ステップアップ最適化比プロファイル |
| 漏れインダクタンス (L_leak) | < 67 | うー (精密に統合された共鳴) |
| 着磁インダクタンス (L_m) | 580以下 | うー(ZVS最適化閾値) |
| 環境コンプライアンス | RoHS、REACH | 完全な認証を取得した環境に配慮した製造 |
🤝 5. なぜTrafopsuを選ぶべきなのか?
プロフェッショナル・マグネティック・エンジニアリング: Trafopsuでは、電力密度の限界を押し広げることに定評があります。当社の平面トランスは、高度な有限要素法(FEA)を用いてシミュレーションを行い、完璧なインターリーブ構造を実現することで、高周波近接損失を実質的に排除しています。.
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